[发明专利]一种适用于集成电路中的防漏电MOS开关结构

摘要

本发明公开了一种适用于集成电路中的防漏电MOS开关结构，包括1个PMOS管MP1、2个NMOS管MN4、MN5和1个单端输出的运算放大器AMP1；即在串联NMOS开关的基础上，增加了运算放大器AMP1实现对NMOS开关的源漏电压跟随控制。运算放大器AMP1在NMOS开关关断时接入电路，保证NMOS开关管在关断状态时仍能维持源漏电压相等，防止NMOS开关产生漏电电流；运算放大器在NMOS开关导通时从电路中断开，不会对开关性能产生影响。使用的运算放大器采用简单五管运放结构实现，结构简单，占用面积和功耗很小。通过本发明提出的开关结构，能够显著减小由于MOS开关漏电电流导致的节点电压变化，实现对关键节点的有效保护。

主权项

一种适用于集成电路中的防漏电MOS开关结构，其特征在于，包括PMOS管MP1、NMOS管MN4和NMOS管MN5及一个单端输出的运算放大器AMP1；所述NMOS管MN4和NMOS管MN5是信号传输通路上的MOS开关，所述PMOS管MP1是控制所述单端输出运算放大器AMP1输出反馈信号的开关；所述NMOS管MN4的源极连接输入信号，所述NMOS管MN4的漏极同时连接NMOS管MN5的源极和PMOS管MP1的源极，NMOS管MN4栅极连接时钟信号CLK；NMOS管MN5的漏极连接信号输出端和所述运算放大器AMP1的正相输入端，NMOS管MN5的栅极连接时钟信号CLK；PMOS管MP1的源极连接NMOS管MN4的漏极，PMOS管MP1的漏极连接运算放大器AMP的输出端，PMOS管MP1的栅极连接时钟信号CLK；运算放大器AMP1的正相输入端和信号输出端连接，运算放大器AMP1的负相输入端与运算放大器AMP1的输出端连接后并连接至PMOS管MP1的漏极。