[发明专利]一种TiO2/C3N4/CQDs复合光阳极及其制备方法

摘要

本发明主要属于电化学分解水制氢技术领域，具体涉及一种TiO₂/C₃N₄/CQDs复合光阳极及其制备方法。所述方法具体为：以FTO导电玻璃为衬底，通过水热法制备获得生长有TiO₂纳米棒的FTO导电玻璃；然后制备C₃N₄分散液，通过沉积退火法在生长有TiO₂纳米棒的FTO导电玻璃上沉淀C₃N₄，制备获得生长有TiO₂/C₃N₄的FTO导电玻璃；最后通过浸渍组装法在生长有TiO₂/C₃N₄的FTO导电玻璃上沉积CQDs，制备获得TiO₂/C₃N₄/CQDs复合光阳极。

主权项

一种TiO₂/C₃N₄/CQDs复合光阳极的制备方法，其特征在于，所述方法首先以FTO导电玻璃为衬底，在FTO导电玻璃衬底上依次沉淀TiO₂、片层结构的C₃N₄和CQDs，制备获得TiO₂/C₃N₄/CQDs复合光阳极；所述方法具体为：以FTO导电玻璃为衬底，通过水热法制备获得生长有TiO₂纳米棒的FTO导电玻璃；然后制备C₃N₄分散液，通过沉积退火法在生长有TiO₂纳米棒的FTO导电玻璃上沉淀C₃N₄，制备获得生长有TiO₂/C₃N₄的FTO导电玻璃；最后通过浸渍组装法在生长有TiO₂/C₃N₄的FTO导电玻璃上沉积CQDs，制备获得TiO₂/C₃N₄/CQDs复合光阳极；其中，通过沉积退火法在生长有TiO₂纳米棒的FTO导电玻璃上沉淀C₃N₄具体为：将生长有TiO₂纳米棒的FTO导电玻璃在C₃N₄分散液中浸泡0.5‑2h，并用氮气吹干，将该沉积过程重复0‑5次，随后在350 ‑400℃退火1‑2 h，得到获得生长有TiO₂/C₃N₄的FTO导电玻璃。