[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610809531.4 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106997902B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 车知勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：鳍型图案，从基板突出并包括彼此相反的第一侧表面和第二侧表面；第一沟槽，与第一侧表面接触；第二沟槽，与第二侧表面接触；第一衬层，共形地形成在第一沟槽的侧表面和底表面上；第一场绝缘膜，设置在第一衬层上并部分地填充第一沟槽；第二衬层，共形地形成在第二沟槽的侧表面上并暴露第二沟槽的底表面；以及第二场绝缘膜，设置在第二衬层上并部分地填充第二沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍型图案，从基板突出并包括彼此相反的第一侧表面和第二侧表面；第一沟槽，与所述第一侧表面接触；第二沟槽，与所述第二侧表面接触；第一衬层，共形地形成在所述第一沟槽的侧表面和底表面上；第一场绝缘膜，设置在所述第一衬层上并部分地填充所述第一沟槽；第二衬层，共形地形成在所述第二沟槽的侧表面和底表面上并暴露所述第二沟槽的底表面的一部分；以及第二场绝缘膜，设置在所述第二衬层上并部分地填充所述第二沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610809531.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字电视接收器（SZDS‑24）
- 下一篇：数字电视接收器（SZDS‑6）
- 同类专利
- 专利分类
