[发明专利]一种IBC结构太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种IBC结构太阳能电池制备方法及其制备方法，其中，制备方法，包括：步骤1，对硅基衬底的正面进行纳米黑硅层；步骤2，对所述硅基衬底的背面进行局域的发射极制备，形成P‑N结；步骤3，对所述硅基衬底的背面非发射极区进行局域同导电类型掺杂，形成n+区或p+区；步骤4，对所述硅基衬底的正面和背面进行介质钝化，形成正面钝化层和背面钝化层；步骤5，对所述背面钝化层上进行开窗操作，形成窗口；步骤6，在所述硅基衬底的背面制备1μm～10μm厚度的金属电极；步骤7，对所述金属电极进行欧姆接触处理，实现所述金属电极与所述硅基衬底之间的欧姆接触。通过在正面的纳米黑硅层上制备钝化层，提高了载流子的寿命，提高了电池效率。

主权项

一种IBC结构太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：步骤1，对硅基衬底的正面进行纳米黑硅层；步骤2，对所述硅基衬底的背面进行局域的发射极制备，形成P‑N结；步骤3，对所述硅基衬底的背面非发射极区进行局域同导电类型掺杂，形成n+区或p+区；步骤4，对所述硅基衬底的正面和背面进行介质钝化，形成正面钝化层和背面钝化层；步骤5，对所述背面钝化层上进行开窗操作，形成窗口；步骤6，在所述硅基衬底的背面制备1μm～10μm厚度的金属电极；步骤7，对所述金属电极进行欧姆接触处理，实现所述金属电极与所述硅基衬底之间的欧姆接触。