[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201610804066.5 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN106505035A | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 广泽俊一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;H01L21/304;B24B7/22;B24B55/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,是基于SDBG法的晶片的加工方法,防止在器件芯片侧面上残留磨削屑。晶片在由相互交叉的多条分割预定线划分的正面的各区域中形成有器件,方法具有框架单元形成步骤,在封闭环状框架的开口的扩张带上粘贴晶片的正面而形成框架单元;改质层形成步骤,从构成框架单元的晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束,在晶片的内部的正面附近形成沿着分割预定线的改质层;第1磨削步骤,一边提供磨削水一边利用磨削磨具来磨削晶片的背面,沿着改质层将晶片分割成一个个的器件芯片;和第2磨削步骤,对通过扩展扩张带而在相邻的器件芯片之间设置有间隔的晶片提供磨削水并利用磨削磨具来磨削其背面,将晶片薄化到完工厚度。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在由相互交叉的多条分割预定线划分的正面的各区域中分别形成有器件,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的步骤:框架单元形成步骤,在封闭环状框架的开口的扩张带上粘贴晶片的正面而形成框架单元;改质层形成步骤,从构成该框架单元的晶片的背面照射对于晶片具有透过性的波长的激光束,在晶片的内部的正面附近形成沿着分割预定线的改质层;第1磨削步骤,在实施了该框架单元形成步骤和该改质层形成步骤之后,一边提供磨削水一边利用磨削磨具对晶片的背面进行磨削,沿着该改质层将晶片分割成一个个的器件芯片;以及第2磨削步骤,在实施了该第1磨削步骤之后,一边对通过扩展该扩张带而在相邻的该器件芯片之间设置有间隔的晶片提供磨削水一边利用磨削磨具对晶片的背面进行磨削,将晶片薄化到完工厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造