[发明专利]一种差温反应芯片以及控温金属浴

摘要

本发明公开了一种差温反应芯片以及控温金属浴，其中，差温反应芯片包括一容置空间，设置于第一基材内，所述第一基材包括第一主面和第二主面，该容置空间具有能够对流入其内的溶液在不同高度位置进行不同温度加热的着温端，使得所述溶液在容置空间内部产生对流；一第二基材，设置于所述第一基材的第一主面上，对所述容置空间进行密封。本发明的提供的差温反应芯片通过多点异温加热，使得加热液体形成对流，大大提高加热速度，再配合多个溶液缓冲结构，保证芯片内溶液流速易控制，避免溶液溢出带来的损失。

主权项

1.一种差温反应芯片，其特征在于：包括，一容置空间（100），设置于第一基材（800）内，所述第一基材（800）包括第一主面（M）和第二主面（S），该容置空间（100）具有能够对流入其内的溶液在不同高度位置进行不同温度加热的着温端（101），使得所述溶液在容置空间（100）内部产生对流；一第二基材（900），设置于所述第一基材（800）的第一主面（M）上，对所述容置空间（100）进行密封;所述容置空间（100）自所述第一主面（M）向第二主面（S）形成，还形成有，一进液端（200），与所述容置空间（100）相连通，溶液自所述着温端（101）加入至所述容置空间（100）内；以及，一排气端（300），与所述容置空间（100）相连通，所述容置空间（100）内部的空气通过所述排气端（300）排出;所述进液端（200）通过第一流路（500）与所述容置空间（100）相连通，所述第一流路（500）上设置有第一稀释池（502），且所述第一稀释池（502）内溶液的最低位置高于所述容置空间（100）内溶液的最高位置；所述排气端（300）通过第二流路（600）与所述容置空间（100）相连通；所述第二流路（600）上设置有第一存储池（601），所述第一存储池（601）对溢出所述容置空间（100）的溶液进行存储；所述第二流路（600）上还设置有第一显色池（602），所述溶液充满所述第一存储池（601）后，进入所述第一显色池（602）；所述第一流路（500）上设置有第一拐点（501），溶液在进入所述容置空间（100）后在所述第一拐点（501）处形成连通器式溶液存留；所述第二流路（600）上设置有第二拐点（603），溶液在流出所述容置空间（100）后在所述第二拐点（603）处形成连通器式溶液存留。