[发明专利]紫外发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610792168.X | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106505133A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 斋藤义树 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 康建峰,韩雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种紫外发光器件及其制造方法，其呈现出改进的晶体质量、平坦性以及填充表面奇点的可实现性。该紫外发光器件包括具有表面奇点的衬底；通过溅射在衬底上形成的AlN缓冲层；未掺杂AlGaN层；n型AlGaN层；发光层；由p型AlGaN制成的电子阻挡层；以及由p型AlGaN制成的p型接触层，所述层中的各个层顺次沉积。未掺杂层的Al组成比是最小的，并且Al组成比按照未掺杂层、n型层、p型接触层和电子阻挡层的顺序增加。因而，整个器件的Al组成比降低。因此，改进了晶体质量或平坦性以及填充衬底上的表面奇点的可实现性。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体的紫外发光器件，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底上，并且由含Al的第III族氮化物半导体制成；未掺杂层，所述未掺杂层设置在所述缓冲层上，并且由未掺杂的第III族氮化物半导体制成；n型层，所述n型层设置在所述未掺杂层上，并且由含Al的n型第III族氮化物半导体制成；发光层，所述发光层设置在所述n型层上，并且由第III族氮化物半导体制成；电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述发光层上，并且由含Al的p型第III族氮化物半导体制成；以及p型接触层，所述p型接触层设置在所述电子阻挡层上，并且由含Al的p型第III族氮化物半导体制成，其中，所述未掺杂层的带隙能量是所述未掺杂层、所述n型层、所述p型接触层和所述电子阻挡层这四个层中最小的，并且所述带隙能量按照所述未掺杂层、所述n型层、所述p型接触层和所述电子阻挡层的顺序增加。
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