[发明专利]一种硅纳米线、其制备方法及用于制备碳包覆硅纳米线负极材料的用途有效
| 申请号： | 201610786002.7 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106207144B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 罗绍华;黄红波;刘彩玲;王志远;王庆;刘延国;张亚辉;郝爱民 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/36;H01M10/0525;H01M10/05 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 110004 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅纳米线、其制备方法及用于制备碳包覆硅纳米线负极材料的用途。本发明制备硅纳米线的方法包括如下步骤：将二氧化硅和氯化钠的混合粉末压制成阴极片；将阴极片进行低温烧结；然后将得到的阴极片固定在铁铬铝丝上作阴极，高纯石墨作阳极，在CaCl2的熔盐体系中，在高纯氩的气氛下进行电解，得到硅纳米线；将适量的乙炔黑与上述硅纳米线进行球磨；将球磨得到的粉料在惰性气氛下烧结，得到碳包覆硅纳米线负极材料。本发明的硅纳米线形貌好，以其作为前驱体制备碳包覆硅纳米线负极材料并组装成电池，电池表现出非常好的电池循环性能，电化学性能稳定，且能量密度高；本发明的制备方法简单，生产成本低，且原料利用率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 用于 碳包覆硅 负极 材料 用途 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n(1)将二氧化硅和氯化钠的混合粉末压制成阴极片，以二氧化硅和氯化钠的混合粉末的总质量为100％计，氯化钠所占的质量百分比为3％～12％；/n(2)对步骤(1)得到的阴极片进行烧结，所述烧结的温度为260～360℃；/n(3)将步骤(2)烧结后的阴极片固定在铁铬铝丝上作为阴极，石墨作为阳极，在CaCl2熔盐体系中进行电解，所述电解的温度为500～600℃，得到硅纳米线。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学，未经东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610786002.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
