[发明专利]用于制造鳍式场效应晶体管和半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610785729.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107026085B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;詹前泰;方子韦;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。该方法包括以下步骤。在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件。在栅极堆叠件旁边的半导体鳍中形成凹槽。实施预清洗工艺以去除在凹槽的表面上的本征氧化物。在预清洗工艺之后，使用含氟气体和第一氢气对凹槽实施选择性接近推送工艺。在凹槽中形成应变层。本发明的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 场效应 晶体管 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：在具有半导体鳍的衬底上方形成栅极堆叠件；在所述栅极堆叠件旁边的所述半导体鳍中形成凹槽；实施预清洗工艺以去除所述凹槽的表面上的本征氧化物；在所述预清洗之后，使用含氟气体和第一氢气对所述凹槽实施选择性接近推送工艺；以及在所述凹槽中形成应变层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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