[发明专利]一种降低低压超结器件的栅极电阻的元胞结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610784891.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206741B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张雨;刘侠;杨东林;罗义 | 申请（专利权）人： | 西安芯派电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低低压超结器件的栅极电阻的元胞结构及其制备方法，包括有源区结构，有源区结构包括衬底，衬底上覆盖有外延层，外延层上设置有深沟槽，深沟槽的两侧设置有接触孔，接触孔的内侧设置有栅极沟槽，2个栅极沟槽之间设置为栅极多晶。增加了有源区栅极沟槽的面积，从而实现了减小栅极电阻的目的，提高了超结器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 低压 器件 栅极 电阻 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种降低低压超结器件的栅极电阻的元胞结构，其特征在于，包括有源区结构，有源区结构包括衬底(1)，衬底(1)上覆盖有外延层(2)，外延层(2)上设置有深沟槽(3)，深沟槽(3)的两侧设置有接触孔(4)，接触孔(4)的内侧设置有栅极沟槽(5)，2个栅极沟槽(5)之间设置为栅极多晶(6)。
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