[发明专利]低成本超结功率场效应管的制备方法在审
| 申请号： | 201610778637.2 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106252235A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;张园园;任文珍;徐永年;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种低成本超结功率场效应管的制备方法，该制备方法通过以下步骤实现：步骤一：在N+衬底上生长N‑外延层;步骤二：通过body光刻版注入体区，然后进行推阱;步骤三：深沟槽的刻蚀和p型EPI的回填，并进行CMP工艺将沟槽外的p型EPI去掉，形成p‑pillar;步骤四：进行栅氧、多晶硅栅极的生长和回刻;步骤五：Nsource注入并推阱；步骤六：进行层间介质（ILD）的淀积；步骤七：电极光刻，孔注；步骤八：源极金属的淀积和光刻，形成器件的最终结构。本发明省掉了有源区这块光刻版，不长厚场氧，同时器件击穿特性不受影响，因此降低了超结功率场效应管的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 功率 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低成本超结功率场效应管的制备方法，其特征在于，该制备方法通过以下步骤实现：步骤一：在N+衬底上生长N‑外延层;步骤二：通过body光刻版注入体区，然后进行推阱;步骤三：深沟槽的刻蚀和p型EPI的回填，并进行CMP工艺将沟槽外的p型EPI去掉，形成p‑pillar;步骤四：进行栅氧、多晶硅栅极的生长和回刻;步骤五：Nsource注入并推阱；步骤六：进行层间介质（ILD）的淀积；步骤七：电极光刻，孔注；步骤八：源极金属的淀积和光刻，形成器件的最终结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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