[发明专利]Nd:YAG激光晶体大面积键合工艺有效

专利信息
申请号: 201610759273.3 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN106252206B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 熊由庆 申请(专利权)人: 成都晶九科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;C30B33/00;C30B33/02
代理公司: 成都厚为专利代理事务所(普通合伙) 51255 代理人: 李坤
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了Nd:YAG激光晶体大面积键合工艺,它包含以下步骤:S1.激光晶体表面处理;S2.光胶;S3.加压预键合:对晶片施加的压力;S4.升温加压:升温并施加的压力;S5.降温加压:降温施加50kg/cm2‑65kg/cm2的压力;S6.升温加压:施加65kg/cm2‑80 kg/cm2的压力。本发明的有益效果是:(1)有效地减少了键合面出现白斑气泡的现象。(2)在真空环境下加压,配合气氛条件,提高了晶体键合效果,同时提高了键合面键合牢固程度,避免了键合界面之间的残留气体问题。(3)真空加压配合两次退火,提高了大面积晶体的键合力,提高了大面积键合晶体成品率。
搜索关键词: nd yag 激光 晶体 大面积 工艺
【主权项】:
1.Nd:YAG激光晶体大面积键合工艺,其特征在于,它包含以下步骤:S1. 激光晶体表面处理:用清洗擦拭剂擦拭晶体表面,去除表面有机物杂质,使其表面光洁度达到10/5,平整度小于λ/5,粗糙度不超过0.6nm,之后用去离子水冲洗;S2. 光胶:将晶体表面紧密地贴在一起,并整体放入真空设备中,启动真空设备抽真空,真空度不超过3Pa,维持时间不低于30min;S3. 加压预键合:将光胶后的晶体放入键合炉炉膛中,启动抽真空系统,充入氮气,在20‑25℃的情况下进行加压预键合,对晶片表面均匀施加15kg/cm2‑25kg/cm2的压力,保持2‑3小时;S4. 升温加压:升温直至键合炉炉膛温度达到500‑800℃,同时对晶片表面均匀施加30kg/cm2‑45kg/cm2的压力,保持1‑2小时;S5. 降温加压:降温直至键合炉炉膛温度降至100‑220℃,同时对晶片表面均匀施加50kg/cm2‑65kg/cm2的压力,保持3‑4小时;S6. 升温加压:最后升温直至键合炉炉膛温度达到1000‑1400℃,同时对晶体表面均匀施加65kg/cm2‑80 kg/cm2的压力,保温1‑2小时,自然降温到室温。
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