[发明专利]Nd:YAG激光晶体大面积键合工艺有效
申请号: | 201610759273.3 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106252206B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 熊由庆 | 申请(专利权)人: | 成都晶九科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C30B33/00;C30B33/02 |
代理公司: | 成都厚为专利代理事务所(普通合伙) 51255 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了Nd:YAG激光晶体大面积键合工艺,它包含以下步骤:S1.激光晶体表面处理;S2.光胶;S3.加压预键合:对晶片施加的压力;S4.升温加压:升温并施加的压力;S5.降温加压:降温施加50kg/cm2‑65kg/cm2的压力;S6.升温加压:施加65kg/cm2‑80 kg/cm2的压力。本发明的有益效果是:(1)有效地减少了键合面出现白斑气泡的现象。(2)在真空环境下加压,配合气氛条件,提高了晶体键合效果,同时提高了键合面键合牢固程度,避免了键合界面之间的残留气体问题。(3)真空加压配合两次退火,提高了大面积晶体的键合力,提高了大面积键合晶体成品率。 | ||
搜索关键词: | nd yag 激光 晶体 大面积 工艺 | ||
【主权项】:
1.Nd:YAG激光晶体大面积键合工艺,其特征在于,它包含以下步骤:S1. 激光晶体表面处理:用清洗擦拭剂擦拭晶体表面,去除表面有机物杂质,使其表面光洁度达到10/5,平整度小于λ/5,粗糙度不超过0.6nm,之后用去离子水冲洗;S2. 光胶:将晶体表面紧密地贴在一起,并整体放入真空设备中,启动真空设备抽真空,真空度不超过3Pa,维持时间不低于30min;S3. 加压预键合:将光胶后的晶体放入键合炉炉膛中,启动抽真空系统,充入氮气,在20‑25℃的情况下进行加压预键合,对晶片表面均匀施加15kg/cm2‑25kg/cm2的压力,保持2‑3小时;S4. 升温加压:升温直至键合炉炉膛温度达到500‑800℃,同时对晶片表面均匀施加30kg/cm2‑45kg/cm2的压力,保持1‑2小时;S5. 降温加压:降温直至键合炉炉膛温度降至100‑220℃,同时对晶片表面均匀施加50kg/cm2‑65kg/cm2的压力,保持3‑4小时;S6. 升温加压:最后升温直至键合炉炉膛温度达到1000‑1400℃,同时对晶体表面均匀施加65kg/cm2‑80 kg/cm2的压力,保温1‑2小时,自然降温到室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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