[发明专利]硅基注氧电容型电光调制器有效
| 申请号： | 201610752753.7 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106291990B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王敏娟;周林杰;陆梁军;陈建平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅基注氧电容型电光调制器，从下到上依次为：硅衬底、二氧化硅下包层、n型轻掺杂单晶硅层、二氧化硅隔离层、p型轻掺杂单晶硅层、二氧化硅上包层和金属电极层。本发明采用氧离子注入隔离技术，可实现硅基光子器件与硅基微电子器件的集成。所述的电容调制部分采用单晶硅波导，波导传输损耗更小，本发明具有结构简单、易设计制备和成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基注氧 电容 电光 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种硅基注氧电容型电光调制器，其特征在于，从下到上依次为：硅衬底(11)、二氧化硅下包层(12)、n型轻掺杂单晶硅层(13)、二氧化硅隔离层(14)、p型轻掺杂单晶硅层(16)、二氧化硅上包层(19)和金属电极层(10)，所述的n型轻掺杂单晶硅层(13)、二氧化硅隔离层(14)和p型轻掺杂单晶硅层(16)构成电容，所述的n型轻掺杂单晶硅层(13)和p型轻掺杂单晶硅层(16)形成电容的上下极板，所述的n型轻掺杂单晶硅层(13)、二氧化硅隔离层(14)和p型轻掺杂单晶硅层(16)的中间区域形成脊型波导，在所述的n型轻掺杂单晶硅层(13)的脊型波导的左侧为n型重掺杂区(17)，在p型轻掺杂单晶硅层(16)的脊型波导的右侧为p型重掺杂区(15)，在所述的二氧化硅上包层(19)中位于所述的脊型波导的两侧均具有通孔(18)，分别与所述的n型重掺杂区(17)和p型重掺杂区(15)相连，所述的金属电极层(10)的金属填充所述的通孔(18)，分别经所述的n型重掺杂区(17)和p型重掺杂区(15)与所述的电容的下极板n型轻掺杂单晶硅层(13)和上极板p型轻掺杂单晶硅层(16)相连，所述二氧化硅隔离层(14)通过在SOI硅片顶层硅内注入氧离子后退火氧化形成，通过控制不同的氧离子注入剂量和注入能量可实现不同厚度及不同深度的二氧化硅隔离层。
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