[发明专利]FET及形成FET的方法有效
| 申请号： | 201610750016.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106531806B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 李彥儒;李启弘;郭建亿;舒丽丽;苏建彰;丁姮彣;戴荣吉;李则辉;李英玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例是一种结构，包括：位于衬底上方的第一鳍、位于衬底上方的第二鳍，第二鳍与第一鳍邻近；围绕第一鳍和第二鳍的隔离区；位于第一鳍和第二鳍的上表面上方并沿着第一鳍和第二鳍的侧壁的栅极结构，栅极结构限定第一鳍和第二鳍中的沟道区；在第一鳍和第二鳍上并与栅极结构邻近的源极/漏极区；以及将源极/漏极区与衬底的顶面分隔开的气隙。本发明实施例涉及FET及形成FET的方法。 | ||
| 搜索关键词： | fet 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍场效应晶体管结构，包括：第一鳍，位于衬底上方；第二鳍，位于所述衬底上方，所述第二鳍邻近所述第一鳍；隔离区，围绕所述第一鳍和所述第二鳍；栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面上方，所述栅极结构将沟道区限定在所述第一鳍和所述第二鳍中；源极/漏极区，邻近所述栅极结构位于所述第一鳍和所述第二鳍上，其中，所述源极/漏极区还包括：缓冲层，位于所述第一鳍和所述第二鳍上，所述缓冲层具有第一掺杂浓度；应力源层，位于所述缓冲层上，所述应力源层具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；以及覆盖层，位于所述应力源层上，所述覆盖层具有第三掺杂浓度，所述第三掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度；以及气隙，将所述源极/漏极区与所述衬底的顶面分隔开。
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