[发明专利]基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、飞秒激光烧蚀微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P⁺型区、上电极，飞秒激光烧蚀微结构层为微米尖锥阵列，本发明将透射过空间电荷区的未吸收光进行多次反射，增加光的传播路程和光子捕获比，增加光的吸收和利用，更多的激发光生载流子，提高探测器的响应度，通过控制钌含量获得较窄的光学带隙，使硅材料的禁带宽度变窄，从而捕获能量更低、波长更长的近红外光，因此可以额外增加对近红外的吸收，扩展光电探测器的探测光谱范围。

主权项

一种基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器，其特征在于：包括硅本征衬底、位于硅本征衬底下方的飞秒激光烧蚀微结构层、位于飞秒激光烧蚀微结构层下方的红外增强非晶硅钌合金薄膜、位于红外增强非晶硅钌合金薄膜下方的下电极、位于硅本征衬底上方中间区域的P型区、位于硅本征衬底上方P型区四周的环形P⁺型区、位于P型区上表面的上电极，所述飞秒激光烧蚀微结构层为微米尖锥阵列，探测器光敏面为P型区的上表面。