[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610720818.X | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106486353B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 俞东洙;金元洪;宋文均;李民主;崔戍侦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在有源图案上形成牺牲栅图案；在牺牲栅图案的彼此对立的侧壁上形成间隔物；在有源图案和间隔物上形成层间绝缘层；去除牺牲栅图案以形成暴露有源图案的区域的栅沟槽；在有源图案的由栅沟槽暴露的区域上形成栅电介质层；在小于1atm的压强执行第一热处理以去除层间绝缘层中的杂质；在比第一热处理的温度高的温度对栅电介质层执行第二热处理；以及在栅沟槽中形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n在衬底的上部形成限定有源图案的器件隔离层以形成所述有源图案；/n在所述有源图案上形成牺牲栅图案；/n在所述牺牲栅图案的彼此对立的侧壁上形成间隔物；/n在所述有源图案和所述间隔物上形成层间绝缘层；/n去除所述牺牲栅图案以形成由所述间隔物限定的栅沟槽，所述栅沟槽暴露所述有源图案的位于所述栅沟槽内的区域；/n在所述有源图案的由所述栅沟槽暴露的所述区域上形成栅电介质层；/n通过执行第一热处理从所述层间绝缘层去除杂质；/n对所述栅电介质层执行第二热处理，其中所述第二热处理在比所述第一热处理的温度高的温度被执行；以及/n在所述栅沟槽中形成栅电极，/n其中所述第一热处理在小于1atm的压强被执行。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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