[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本申请提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有产品由SiNx与SiO₂组成的栅极绝缘层具有表面接触特性与薄膜连续性不好，形成二段角，出现光电介质层断裂，造成短路，导致产品性能异常的问题。它包括基板、第一栅极、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第二栅极、介电层、第一像素电极层、有机平坦层、第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层、钝化层和第二像素电极层。方法：形成依次包括基板、第一栅极、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第二栅极、介电层、第一像素电极层、有机平坦层、第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层、钝化层和第二像素电极层在内的多层结构。本发明为两层氧化铟锡层膜层结构，避免二段角异常的出现。

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；第一栅极，其形成在所述基板上；缓冲层，其形成在所述第一栅极上；有源层，其形成在所述缓冲层上；所述有源层包括源极区、漏极区以及通道区，所述通道区设置于所述源极区与所述漏极区之间；栅极绝缘层，其形成在所述有源层以及曝露的缓冲层上；第二栅极，其形成在所述栅极绝缘层上；介电层，其形成在所述第二栅极以及曝露的栅极绝缘层上；所述介电层和栅极绝缘层中形成有过孔，且在过孔内曝露所述源极区以及所述漏极区；第一像素电极层，其形成在所述介电层和栅极绝缘层中形成的过孔内；所述第一像素电极层包括源电极和漏电极；有机平坦层，其形成在所述第一像素电极层以及曝露的介电层上；所述有机平坦层内设置有第一过孔；第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层，所述第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层连续形成在所述有机平坦层上；所述第一氧化铟锡层内设置有第二过孔；所述第二过孔位于第一过孔的上方；所述第二氧化铟锡层内设置有第三过孔；所述第三过孔位于第二过孔的上方；所述第一氧化铟锡层内的第二过孔的纵向截面为第一梯形，且所述第一梯形的短底边位于朝向所述基板的一侧；所述第二氧化铟锡层内的第三过孔的纵向截面为第二梯形，且所述第二梯形的短底边位于朝向所述基板的一侧；所述第一氧化铟锡层蚀刻速率慢且薄；所述第二氧化铟锡层蚀刻速率快，且膜质疏松；钝化层，其形成在所述第二氧化铟锡层的上表面并填充于第一过孔、第二过孔和第三过孔内；且所述钝化层内设置有第四过孔；第二像素电极层，其形成在所述钝化层内的第四过孔以及所述钝化层的表面。