[发明专利]一种堆叠式高温退火工艺有效
申请号: | 201610707170.2 | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN106257625B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 孙涌涛;彭兴;宋飞飞;董方 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏;沈刚 |
地址: | 322118 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种堆叠式高温退火工艺。它具体操作步骤如下:(1)将刻蚀后的硅片叠放整齐,放入退火用的石英片架中;(2)用石英盖板盖在石英片架的硅片上并压好硅片,将石英片架送入高温扩散/氧化炉中;(3)将高温扩散/氧化炉的炉管升温并稳定进行退火;(4)降温出炉:将高温扩散/氧化炉的炉管降温,出炉。本发明的有益效果是:堆叠后的硅片表面与空气隔离,有效的解决了热氧化工艺存在的问题,操作简单,耗费时间短,易于量产化,同时产量高,电池片效率提升幅度大,且可以有效的降低硅片在装、卸舟过程中出现的崩边、掉角、隐裂、碎片等问题,减少了装卸舟时间,提高了电池片的质量及合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 堆叠 高温 退火 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种堆叠式高温退火工艺,其特征是,具体操作步骤如下:(1)将刻蚀后的硅片以100‑150片/叠的方式叠放整齐,放入退火用的石英片架中;(2)用石英盖板盖在石英片架的硅片上并压好硅片,将石英片架送入高温扩散/氧化炉中;(3)将高温扩散/氧化炉的炉管升温并稳定至在650‑850℃,进行退火,保温时间10‑30min,通入20000sccm的氮气;(4)降温出炉:将高温扩散/氧化炉的炉管降温至600‑700℃,保温时间600s,出炉;步骤(1)和步骤(2)中,所述的石英片架包括石英底板(1)、石英挡板(7)和若干石英细杆(3),所述石英细杆(3)的一部分置于石英底板(1)的左右两侧边上,所述石英细杆(3)的另一部分置于石英挡板(7)上,所述的石英挡板(7)置于石英底板(1)的前后两侧边上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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