[发明专利]一种钼合金氧化锌薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种钼合金氧化锌薄膜的制备方法，该方法包括制备基板、预处理基板、溅射形成氧化锌薄膜等步骤，该方法制备重复性好，而且操作简便，该种方法制备的材料由于是定向腐蚀得到的，因此具有更好的电学和光学性能。

主权项

一种钼合金氧化锌薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）制备基板将Mo₅Si₃/ Y₂O₃，球磨至平均粒径为100‑300nm；按设计的钼掺杂材料组分配比分别取平均粒径＜8μm的纯钼粉与第一步所制备的Mo₅Si₃/ Y₂O₃混合，采用传统粉末冶金方法进行混合、压制成烧结板坯；将所得烧结板坯在纯氢气氛下加热至1850℃‑2050℃，保温5‑10小时进行烧结；随炉冷却后，得到烧结坯；将得到的烧结坯由室温加热至1350℃‑1500℃热轧，道次变形量为20％‑35％，总变形量大于80％时，完成轧制的到基板；（2）基板预处理所述基板预处理，可依次进行研磨抛光、超声清洗和离子源清洗；（3）将纯ZnO粉末和纯Cr氧化物粉末按化学式Zn_1‑xCr_xO计量比混合、研磨、1200‑1450 ℃烧结，制成ZnO基陶瓷靶材，0.05≦x＜0.15；（4） 采用磁控溅射方法，以ZnO基陶瓷靶材作为靶材，在经预处理的基板上沉积一层ZnO基薄膜，沉积条件为：基板和靶材的距离为80 mm，生长室真空度在2×10^‑3 Pa以上，生长室通入纯Ar，或者Ar和O₂，Ar和O₂的流量比为100：1‑100：5，控制压强为1‑ 5Pa，调节溅射功率为100 ‑ 200 W，基板温度为75‑ 300 ℃，溅射时间为30 ‑ 60 min；将所得的薄膜在浓度为1.0 ‑ 5.0 wt% CH₃COONH₄溶液中腐蚀10 ‑ 30 min，得到钼合金氧化锌薄膜。