[发明专利]一种四足量子点及其制备方法与四足量子点发光薄膜

摘要

本发明公开一种四足量子点及其制备方法与四足量子点发光薄膜，方法包括步骤：制备镉前驱体混合液，制备硫前驱体混合液，将硫前驱体混合液注入镉前驱体混合液中，反应5~120s后，注入闪锌矿CdSe量子点；将温度升至310~350℃，5~25min后注入无水甲苯，并停止加热；待反应液冷却至室温后，产物反复溶解、沉淀，离心提纯，制得CdSe/CdS四足量子点。本发明采用“两步法”制备了一种尺寸可控的四足量子点，有效提高量子点的发光效率，延长量子点荧光薄膜的使用寿命。同时，四足量子点优异的荧光性能及有机硅树脂、环氧树脂良好的机械加工性能，使得该四足量子点发光薄膜有望被应用于发光二极管，固态照明LED等。

主权项

一种四足量子点的制备方法，其特征在于，所述四足量子点是以闪锌矿CdSe量子点为核进行硫化镉纳米棒的生长，包括步骤：A、镉前驱体混合液的制备：将镉源、有机配体和镉包覆剂混合，得到混合液，接着将混合液真空下加热至110~180℃并脱气20~60min，然后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至280~330℃直至形成澄清、透明溶液为止；B、硫前驱体混合液的制备：惰性气氛下，将硫源和硫包覆剂于45~55℃下混合搅拌25~35 min即可；C、CdSe/CdS四足量子点的制备：在温度为280~310℃时，将上述制备好的硫前驱体混合液注入上述制备好的镉前驱体混合液中；反应5~120s后，注入备好的闪锌矿CdSe量子点；将温度升高至310~350℃， 5~25min后注入无水甲苯，并停止加热；待反应液冷却至室温后，产物反复溶解、沉淀，离心提纯。