[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610683335.7 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106542491A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 戴文川;亚历山大·卡尔尼茨基;黄信锭;陈相甫;李久康;沈靖凯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底和接近衬底的可移动膜。该半导体器件还包括位于衬底上方且从衬底的表面朝着可移动膜突出的台。台包括配置为从膜接收碰撞力的撞击部分和位于撞击部分下方的混合应力缓冲件，其中，混合应力缓冲件包括通过硬度不同可分辨的至少两层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：空腔；膜，位于所述空腔中；衬底，位于所述空腔的一侧上；以及台，从所述衬底的表面且朝着所述膜突出，其中，所述台包括：材料，接近所述膜；第一缓冲层，位于所述衬底和所述材料之间且由所述材料至少部分地覆盖；以及第二缓冲层，位于所述衬底和所述第一缓冲层之间且由所述第一缓冲层部分地覆盖，其中，所述材料接触所述第二缓冲层，以及所述第二缓冲层包括大于所述第一缓冲层的硬度的硬度。
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