[发明专利]具有稳定的耐压结构的边缘电池的半导体器件在审
| 申请号： | 201610657395.1 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106449735A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 郑垠植;金禹泽;杨昌宪;朴兌洙;金成洙;朴镕浦 | 申请（专利权）人： | 美普森半导体公司（股） |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的实施方式，在包括活性电池和邻近于活性电池形成的用于稳定减缓电场的边缘电池的功率半导体器件中，所述活性电池包括：形成于第二电极的上侧上的N+基板；形成于N+基板的上侧上的N‑漂移层；形成于N‑漂移层的上部的P基区；和形成于P基区的上侧上的用来接收信号的第一电极；所述边缘电池包括：作为导体从所述第一电极延伸的场板；通过在从活性电池延伸的N‑漂移层上方注入第一杂质离子而形成于场板下方的缓冲环；通过在N‑漂移层上方注入第一杂质离子而形成为具有距缓冲环的预定水平间隙和宽度的多个场环；和形成于场板和缓冲环之间并且覆盖多个场环的场效氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稳定 耐压 结构 边缘 电池 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括活性电池和邻近于所述活性电池形成的用于稳定减缓电场的边缘电池，所述活性电池包括：形成于第二电极的上侧上的N+基板；形成于所述N+基板的上侧上的N‑漂移层；形成于所述N‑漂移层的上部的P基区；和形成于所述P基区的上侧上的用来接收信号的第一电极；其中所述边缘电池包括：场板，所述场板作为导体从所述第一电极延伸；缓冲环，所述缓冲环通过在从所述活性电池延伸的N‑漂移层上方注入第一杂质离子而形成于所述场板下方；多个场环，所述多个场环通过在所述N‑漂移层上方注入所述第一杂质离子而形成为具有距所述缓冲环的预定水平间隙和宽度；和场效氧化膜，所述场效氧化膜形成于所述场板和所述缓冲环之间并且形成为覆盖所述多个场环，其中所述场板是通过延伸至所述缓冲环的区域而形成的，并且所述边缘电池具有耗尽层，所述耗尽层通过所述多个场环由多级p‑n结组成。
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