[发明专利]一种用于制备金属化通孔试样的划切方法

摘要

本发明公开了一种用于制备金属化通孔试样的划切方法，属于微波毫米波薄膜混合集成电路领域。本发明通过往金属化通孔中加入填充剂，由于填充剂承受了砂轮施加给工件上金属化通孔试样的推力，使得划切时砂轮对孔壁镀层的作用力下降，减少了金属化孔壁镀层因应力过大产生的翘起、断裂或脱落等现象的发生几率，提高了金属化通孔试样的制备成品率，有利于后续对孔壁镀层状态进行有效检测分析。

主权项

1.一种用于制备金属化通孔试样的划切方法，采用砂轮划片机，其特征在于：按照如下步骤进行：步骤1：准备待划切的含金属化通孔电路的基片并标记待切割的金属化通孔；步骤2：保护步骤1中标记的待切割金属化通孔内的镀层，将与金属化通孔内镀层互连的基片的正反面镀层金属刻蚀干净；步骤3：将步骤2中待切割的含金属化通孔电路的基片用粘合剂粘附在基板上，然后往金属化通孔中加入填充剂并使之固化形成临时键合体；步骤4：使用砂轮划片机沿金属化通孔的直径方向切穿标记的待切割金属化通孔；步骤5：将基板与含金属化通孔电路的基片分离，去除金属化通孔内填充剂，得到金属化通孔壁镀层的检测样件；基片选用纯度为99.6％‑100％的氧化铝基片或纯度为98％的氮化铝基片；标记的待切割金属化通孔的通孔深径比范围为0.8～1；标记的待切割金属化通孔的镀层结构包括电阻层、粘附层和导体层或包括粘附层和导体层；其中，电阻层选用厚度为30nm～100nm的包括TaN、Ta、NiCr、CrSi在内的任意一种薄膜；粘附层选用厚度为30nm～80nm的包括TiW、Ti、NiCr在内的任意一种薄膜；导体层选用厚度为3μm～5μm的Au薄膜。