[发明专利]基于忆阻器阵列的操作方法

摘要

本发明公开了一种基于忆阻器阵列的操作方法，包括逻辑子单元，所述逻辑子单元包括至少两个输入单元、一个输出单元和至少一个基准单元，所述输入单元包括第一输入阻变单元和第二输入阻变单元，所述输出单元包括第一输出阻变单元，通过适当地将各单元与字线、位线连接，向输入、输出阻变单元和基准单元施加特定的电压脉冲，以简易的方式实现了逻辑运算操作及其重构，实现了存储计算的一体化，不仅减少了所需忆阻器的数量，还提高了逻辑运算的执行效率。

主权项

1.一种用于在垂直交叉存储单元阵列中的逻辑运算的操作方法，包括逻辑子单元，所述逻辑子单元包括至少两个输入单元、一个输出单元和至少一个基准单元，所述输入单元包括第一输入阻变单元和第二输入阻变单元，所述输出单元包括第一输出阻变单元，其特征在于，步骤S01，将所述第一输入阻变单元的一端耦合到第一位线，所述第二输入阻变单元的一端耦合到第二位线，步骤S03，将所述第一输出阻变单元的一端耦合到第三位线，步骤S05，将所述第一、第二输入阻变单元和第一输出阻变单元的另一端耦合到同一字线，将所述基准单元的一端耦合到所述字线，步骤S06，不对输出阻变单元进行复位，使得所述输出阻变单元中的运算结果等于第一、第二输入阻变单元中所存储的信号的逻辑与非结果与所述输出阻变单元中上一周期所得结果相与的结果，步骤S07，分别向第一位线、第二位线施加第一电压脉冲，步骤S09，将第三位线耦合到地电压，步骤S11，向所述基准单元的另一端施加第二电压脉冲，使得所述输出阻变单元中的运算结果为逻辑与非运算的结果，其中，所述第二电压脉冲落在第一电压脉冲之中，所述第二电压脉冲的宽度小于第一电压脉冲的宽度。