[发明专利]一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤1)在P型硅上表面进行制绒；2)在制绒完毕的P型硅表面制备若干层N型纳米硅薄膜，并依次层叠覆盖在P型硅表面；3)对覆盖有若干层N型纳米硅薄膜的P型硅进行退火处理；4)制备减反膜；5)在P型硅下表面制备背电极、背电场；6)在N型纳米硅薄膜上表面制作正电极。与现有技术相比本发明的方法，p‑n结采用在P型硅上覆盖多层N型纳米硅薄膜的方法制备，p‑n结的结深通过N型纳米硅薄膜的层数来控制，且N型纳米硅薄膜的表面浓度低且可控，这样制备的p‑n具有表面浓度低、结深可控，可以大大提高p‑n结的质量，提高电池的转换效率。

主权项

一种低表面浓度可组装p‑n结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)在P型硅上表面进行制绒；2)在制绒完毕的P型硅表面制备40‑300层N型纳米硅薄膜，40‑300层N型纳米硅薄膜依次层叠覆盖在P型硅表面，N型纳米硅薄膜边长小于P型硅边长；3)对覆盖有40‑300层N型纳米硅薄膜的P型硅进行退火处理；4)制备减反膜，减反膜将40‑300层N型纳米硅薄膜和P型硅表面没被N型纳米硅薄膜覆盖的部分全部覆盖；5)在P型硅下表面制备背电极、背电场；6)在N型纳米硅薄膜上表面制作正电极。