[发明专利]成像装置和电子设备有效
| 申请号: | 201610639444.9 | 申请日: | 2012-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN106067468B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
| 发明(设计)人: | 柳田刚志;押山到;榎本贵幸;池田晴美;伊泽慎一郎;山本敦彦;太田和伸 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明涉及一种成像装置和电子设备,可以提供诸如光学混色减少等特性改善的成像装置。此外,提供了使用所述成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中,形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成,所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面,所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。 | ||
| 搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,包括:基板;第一光电转换部和第二光电转换部,包括在所述基板中;以及沟部,沿所述基板的深度方向设置在所述第一光电转换部和所述第二光电转换部之间,其中,所述沟部包括空隙结构、第一绝缘膜和第二绝缘膜,在横截面上所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜和所述空隙结构之间,所述第一绝缘膜设置在所述基板的位于相邻沟部之间的背面部分上,并且所述第一绝缘膜包括氧化物或氮化物材料中的至少一种,所述氧化物或氮化物材料包括以下元素中的至少一者:铪(Hf)、铝(Al)、锆(Zr)、钽(Ta)、钛(Ti)、镧(La)、镨(Pr)、铈(Ce)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)和钇(Y)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





