[发明专利]摄像装置和电子设备有效
申请号: | 201610637982.4 | 申请日: | 2011-03-30 |
公开(公告)号: | CN106252369B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 桧山晋;渡边一史 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及摄像装置和电子设备。该摄像装置包括:半导体层,其包括多个光电二极管;第一防反射膜,其位于所述半导体层的第一表面上;第二防反射膜,其位于所述第一防反射膜上;及遮光层,其侧表面相邻于所述第一防反射膜和所述第二防反射膜中的至少一个防反射膜。根据本发明的固体摄像装置能够改善所获得图像的图像质量。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,包括:半导体层,具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述第一侧为光入射侧,所述半导体层包括光电转换元件;隔离区域,在所述光电转换元件和相邻的光电转换元件之间;第一膜,设置为邻近于所述半导体层的所述第一侧;绝缘膜,设置于所述第一膜上;遮光部,在所述隔离区域的上部处位于所述绝缘膜上;第二膜,位于所述第一膜和所述遮光部上;滤色器,位于所述第二膜上方;及布线层,设置为邻近于所述半导体层的所述第二侧,其中,所述第一膜为氧化铪膜,所述第二膜包括氮化物成分,在横截面上,所述绝缘膜和所述遮光部被所述第一膜和所述第二膜围绕,并且在所述横截面上,所述第二膜的最远离所述第一膜的表面具有凸形,所述凸形对应于所述遮光部和所述绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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