[发明专利]一种大晶粒有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610629208.9 | 申请日: | 2016-08-03 |
公开(公告)号: | CN106159088B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 黄程;牛高强;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 无锡万里知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32263 | 代理人: | 王传林 |
地址: | 210009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种大晶粒有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,属于钙钛矿型太阳电池及相关光电半导体材料领域。它包括配置有机无机杂化钙钛矿前驱液、搅拌加热、旋涂、退火等步骤制得均匀致密大晶粒薄膜,本发明不需要多步法旋涂,室温基板控温容易,无需对退火降温速率有严苛要求,高效快速成膜。通过调控钙钛矿吸光层的晶粒尺寸实现虚拟晶体薄膜生长,不仅减少晶体内部缺陷,提高载流子输运效率,而且调控晶界缺陷,极大改善钙钛矿晶体薄膜的环境稳定性,增强钙钛矿薄膜器件的性能。利用该低温溶液法所制备的钙钛矿型虚拟单晶薄膜,可应用于组装无磁滞、高效、稳定的钙钛矿型太阳电池及相关薄膜晶体管、电致发光、激光发射等光电半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶粒 有机 无机 杂化钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种大晶粒有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)配置一定质量分数的溶剂DMSO作为钙钛矿前驱液,备用;(2)将前驱材料CH3NH3I·PbI2溶于所述步骤(1)中的钙钛矿前驱液中,形成黄色溶液,备用;(3)将所述步骤(2)中钙钛矿前驱液配置成化学通式为CH3NH3PbI3‑xBrx或CH3NH3PbI3‑xClx有机无机杂化钙钛矿,其中0≤x≤3;(4)将所述步骤(3)中所得的有机无机杂化钙钛矿在磁力搅拌条件下加热到130℃以上,并保持1~3min;(5)将所述步骤(4)所得前驱液滴至准备好的基底上,以1000‑4000rpm的转速旋涂20‑30s得到钙钛矿薄膜;(6)将钙钛矿薄膜在140‑160℃的条件下退火1min,钙钛矿薄膜由黄色变成黑褐色,伴有金属光泽和大晶粒形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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