[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制造工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制造工艺，包括原料硅片加工制得绒面硅片，PN结加工制得PN结硅片，蒸镀烧结加工制得晶体硅太阳能电池；根据晶体硅太阳能电池应用地域的气象环境确定分档测试的温度范围和光照强度范围，然后测试晶体硅太阳能电池的电池效率进行初步分档并剔除在确定的温度范围和光照强度范围内电池效率变化情况与整体差异较大的个体，再测试晶体硅太阳能电池的工作电流值进行精细分档并剔除在确定的温度范围和光照强度范围内工作电流值变化情况与整体差异较大的个体。本发明使组件封装时单元电池片之间的工作电流相匹配，从而使太阳能电池板具有较低的功率损失率和较高的电池效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、原料硅片加工：将立方块状硅切割成棒状，再由棒状切割成片状硅片，然后用碱性溶液腐蚀除去硅片表面的切割损伤区域同时形成绒面，制备获得绒面硅片；步骤二、PN结加工：使用三氯氧磷在扩散炉中对绒面硅片进行磷扩散形成PN结，然后腐蚀去除绒面硅片四周边缘和背面的PN结，制备获得PN结硅片；步骤三、蒸镀烧结加工：通过真空蒸镀金属铝制作PN结硅片的上下电极，然后再通过真空蒸镀在PN结硅片表面形成一层三氧化二铝膜用以减少入反射损失，最后将镀膜后的PN结硅片烧结在铜质底板上，制备获得晶体硅太阳能电池；步骤四、测试分档作业：根据晶体硅太阳能电池应用地域的气象环境确定分档测试的温度范围和光照强度范围，然后测试晶体硅太阳能电池的电池效率进行初步分档并剔除在确定的温度范围和光照强度范围内电池效率变化情况与整体差异较大的个体，再测试晶体硅太阳能电池的工作电流值进行精细分档并剔除在确定的温度范围和光照强度范围内工作电流值变化情况与整体差异较大的个体。