[发明专利]被加工物的加工方法有效
申请号: | 201610617838.4 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN106409762B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 有福法久;小泽宽修;李成君 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B24B7/22;B24B37/10;B24B37/24;B24B37/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供被加工物的加工方法,防止磨粒附着于器件芯片。被加工物的加工方法具有:改质层形成工序,从被加工物的背面(11b)侧沿着分割预定线(13)照射对于被加工物(11)具有透过性的波长的激光光线(L),在比相当于器件芯片(19)的完工厚度的位置靠背面侧的位置形成改质层(17);背面磨削工序,对被加工物的背面进行磨削而将被加工物加工成器件芯片的完工厚度;分割工序,沿着形成了改质层的该分割预定线将被加工物分割成一个个的该器件芯片;以及研磨工序,一边对被加工物提供不包含磨粒的研磨液一边使用包含磨粒的研磨垫(44)而对被加工物的背面进行研磨,从而去除被加工物的背面的磨削畸变。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种被加工物的加工方法,将板状的被加工物沿着分割预定线分割成多个器件芯片,其特征在于,该被加工物的加工方法具有如下的工序:改质层形成工序,从该被加工物的背面侧沿着该分割预定线照射对于该被加工物具有透过性的波长的激光光线,在比相当于该器件芯片的完工厚度的位置靠背面侧的位置形成改质层;背面磨削工序,在实施了该改质层形成工序之后,对该被加工物的该背面进行磨削而将该被加工物加工成该器件芯片的完工厚度;分割工序,在实施了该改质层形成工序之后,沿着形成了该改质层的该分割预定线将该被加工物分割成一个个的该器件芯片;以及研磨工序,在实施了该背面磨削工序和该分割工序之后,一边对该被加工物提供不包含磨粒的研磨液一边使用包含磨粒的研磨垫对该被加工物的背面进行研磨,由此将该被加工物的该背面的磨削畸变去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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