[发明专利]制造集成电路器件的方法有效
| 申请号： | 201610617613.9 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106409909B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金元洪;俞东洙;李民主;宋文均;崔戍侦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件可以包括覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁的栅绝缘层、覆盖栅绝缘层的栅电极、以及沿鳍形有源区和栅绝缘层之间的界面设置的氢原子层。一种制造集成电路器件的方法可以包括：形成覆盖初步鳍形有源区的下部的绝缘层；通过在氢气氛中退火初步鳍形有源区的上部形成鳍形有源区，该鳍形有源区具有平滑度增大的外表面；以及形成覆盖鳍形有源区的外表面的氢原子层。栅绝缘层和栅电极可以被形成为覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：通过部分地蚀刻衬底形成初步鳍形有源区；形成覆盖所述初步鳍形有源区的下部的绝缘层，使得所述初步鳍形有源区的上部突出而高过所述绝缘层；通过在氢气氛中退火所述初步鳍形有源区的突出部分形成鳍形有源区和氢原子层，所述鳍形有源区具有比所述初步鳍形有源区的表面更光滑的表面且所述氢原子层覆盖所述鳍形有源区的所述表面；在所述氢原子层上形成栅绝缘层以覆盖所述鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁；以及在所述栅绝缘层上形成栅电极以覆盖所述鳍形有源区的所述顶表面和所述彼此对立的侧壁。
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