[发明专利]一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管

摘要

一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区中设有N型缓冲层，在N型缓冲层中设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅并延伸至场氧化层上表面，所述可降低热载流子效应的结构为由多个沟槽构成的沟槽阵列，位于多晶硅栅下方的场氧化层区域，且沟槽阵列由多晶硅填充并与多晶硅栅连接。引入的沟槽阵列能够有效降低栅氧化层和场氧化层交界位置处的碰撞电离峰值，减低器件的热载流子退化，进而提高器件的可靠性。

主权项

一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有P型外延层(2)，在P型外延层(2)的内部设有P型体区(3)和N型漂移区(6)，在P型体区(3)内设有N型源区(4)和P型体接触区(5)，在N型漂移区(6)中设有N型缓冲层(7)，在N型缓冲层(7)中设有N型漏区(8)，在N型漂移区(6)的表面设有场氧化层(12)且场氧化层(12)的一个边界延伸至N型漏区(8)的边界，在P型体区(3)的表面设有栅氧化层(9)，所述栅氧化层(9)的一端和N型源区(4)的一端相抵，所述栅氧化层(9)的另一端向场氧化层(12)延伸并止于场氧化层(12)的边界，在栅氧化层(9)的表面设有多晶硅栅(10)且多晶硅栅(10)延伸至场氧化层(12)的上表面，在P型体接触区(5)、N型源区(4)、多晶硅栅(10)、场氧化层(12)、N型漏区(8)的表面设有钝化层(15)，在P型体接触区(5)和N型源区(4)表面连接有源极接触金属层(14)，在多晶硅栅(10)的表面连接有栅极接触金属层(11)，在N型漏区(8)表面连接有漏极接触金属层(13)，其特征在于，在场氧化层(12)内设有由沟槽(16)构成的沟槽阵列且所述沟槽(16)与多晶硅栅(10)连接。