[发明专利]一种具有电流阻挡层的LED外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610606427.5 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106025014B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 江苏派诺光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 张红;程立民 |
| 地址： | 226600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有电流阻挡层的LED外延片，其包括：衬底；在所述衬底上外延生长在所述衬底上的GaN外延层，利用干法刻蚀蚀刻出的第一电极放置区域，所述放置区域呈阶梯状；形成在所述GaN外延层的未被刻蚀区域上的电流阻挡层；所述电流阻挡层中均匀间隔有同心的ITO导电环，所述导电环的顶面与所述电流阻挡层的顶面齐平；沉积在所述电流阻挡层上的ITO电流拓展层。本发明利用同心导电环进行电流传输，防止电流在电极的中部的过度集中。 | ||
| 搜索关键词： | 电流阻挡层 衬底 放置区域 导电环 蚀刻 同心导电环 第一电极 电流传输 顶面齐平 干法刻蚀 均匀间隔 刻蚀区域 外延生长 电极 阶梯状 同心的 拓展层 顶面 沉积 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有电流阻挡层的LED外延片的制造方法，具体包括如下步骤：（1）提供一衬底，在所述衬底上生长GaN外延层，然后利用干法刻蚀蚀刻出第一电极放置区域，所述放置区域呈阶梯状；（2）在所述GaN外延层的未刻蚀区域形成一光刻胶层；（3）刻蚀所述光刻胶层，形成一系列的同心圆环，在同心圆环内填充ITO以形成导电环；（4）去除所述光刻胶层，在所述导电环的周围沉积SiO2 和TiO2 的叠层以形成电流阻挡层，抛光顶面使得所述导电环的顶面与所述电流阻挡层的顶面齐平；（5）在所述电流阻挡层上沉积一层ITO电流拓展层；减薄所述衬底，并在背面形成一层布拉格反射膜，以增强反射；到此完成LED外延片的制作。
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