[发明专利]擦除和刷新非易失性存储器件的方法有效
| 申请号： | 201610603127.1 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106169304B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 韩真晚;沈善一;金汉洙;张在薰;孙炳根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;刘虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种擦除非易失性存储器件的至少一个被选子块的方法，该方法包括：允许至少一个串选择线中的每一个浮置，所述非易失性存储器件包括所述至少一个串选择线，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括衬底和多个存储块，所述多个存储块中的每一个包括沿着与所述衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个连接至至少一个字线，所述多个存储块中的每一个还包括连接至所述至少一个串选择线的至少一个串选择晶体管、连接至至少一个地选择线的至少一个地选择晶体管、以及连接至至少一个伪字线并将所述存储单元分隔成多个子块的至少一个分隔物；将第一电压施加到所述至少一个被选子块的至少一个字线。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 刷新 非易失性存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种擦除非易失性存储器件的至少一个被选子块的方法，该方法包括：允许至少一个串选择线中的每一个浮置，所述非易失性存储器件包括所述至少一个串选择线，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括衬底和多个存储块，所述多个存储块中的每一个包括沿着与所述衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个连接至至少一个字线，所述多个存储块中的每一个还包括连接至所述至少一个串选择线的至少一个串选择晶体管、连接至至少一个地选择线的至少一个地选择晶体管、以及连接至至少一个伪字线并将所述存储单元分隔成多个子块的至少一个分隔物；将第一电压施加到所述至少一个被选子块的至少一个字线；允许第二电压施加到所述至少一个伪字线；允许所述至少一个地选择线中的每一个浮置；并且将擦除电压施加到所述衬底以擦除所述至少一个被选子块。
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