[发明专利]形成存储胞接触结构的方法

摘要

本发明公开了一种形成存储胞接触结构的方法。先提供具有第一凸起结构及第二凸起结构的衬底，在衬底上沉积一蚀刻停止层，再在蚀刻停止层上全面沉积一牺牲层，凹蚀牺牲层，再在牺牲层上表面上形成间隙壁，再将未被间隙壁覆盖的牺牲层蚀除，形成一凹陷结构，再在凹陷结构内填入一填充材料层，去除填充材料层的上部及间隙壁，以显露出牺牲层的上表面，再去除牺牲层以形成接触洞，然后进行贯通蚀刻工艺，移除接触洞底部蚀刻停止层，最后在接触洞内填入导电材料层。

主权项

1.一种形成存储胞接触结构的方法，其包含：提供一衬底，在所述衬底的一主表面上设有一第一凸起结构及一第二凸起结构，其中所述主表面包含紧邻所述第一凸起结构的一第一存储胞接触区及紧邻所述第二凸起结构的一第二存储胞接触区；在所述衬底上沉积一顺形的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层顺形地覆盖所述第一凸起结构及所述第二凸起结构，且覆盖所述第一存储胞接触区及所述第二存储胞接触区；在所述蚀刻停止层上全面沉积一牺牲层，其中所述牺牲层填满所述第一凸起结构与所述第二凸起结构之间的一间隙；凹蚀所述牺牲层，使所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的上端部凸出于所述牺牲层的一上表面；在所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的凸起上端部的侧壁上及所述牺牲层的所述上表面上，形成间隙壁；以所述间隙壁作为一蚀刻硬掩膜，以自动对准方式将未被所述间隙壁覆盖的所述牺牲层的一部分蚀除，如此形成一凹陷结构；在所述凹陷结构内填入一间隙填充材料层；进行一第一平坦化工艺，以去除所述间隙填充材料层的一上部及所述间隙壁，及所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的所述凸起上端部，直到所述牺牲层的所述上表面显露出来；去除所述牺牲层，在原本所述牺牲层所在处形成接触洞；进行一贯通蚀刻工艺，以从所述接触洞的底部移除所述蚀刻停止层，从而显露出所述第一存储胞接触区及所述第二存储胞接触区；及在所述接触洞内填入一导电材料层。