[发明专利]存储单元及一次可编程存储器的形成方法在审
| 申请号： | 201610596455.3 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106129007A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 唐辉;刘宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种存储单元及一次可编程存储器的形成方法，包括：首先于半导体衬底上至少形成有一浮栅；其次于所述浮栅的两侧的半导体衬底中形成第一掺杂区；接着于所述半导体衬底上沉积一厚度小于 |
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| 搜索关键词： | 存储 单元 一次 可编程 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少一个浮栅；于所述浮栅的两侧的半导体衬底中形成第一掺杂区；于所述半导体衬底和所述浮栅上沉积一厚度小于![]()
的第一阻挡层；形成第一阻挡层之后，执行快速热退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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