[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的制备方法在审
申请号: | 201610573931.X | 申请日: | 2016-07-20 |
公开(公告)号: | CN106449862A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 姜海龙;孟凡英;黄勇亮;韦小庆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,包括步骤:1)以铜盐、锌盐、锡盐、硫脲四种化合物为原料,按原子比Cu/(Zn+Sn)=0.7~1,Zn/Sn=1~1.2的比例溶解于有机溶剂中形成铜锌锡硫溶液;2)将所述铜锌锡硫溶液旋涂于基底;3)于200℃~300℃下进行预退火制成铜锌锡硫薄膜;4)将所述铜锌锡硫薄膜放入退火腔室,于500℃~600℃下进行后退火。本发明可有效解决铜锌锡硫高温分解的问题,成膜后的金属比例与前驱体溶液比例一致,可以轻松获得理想的贫铜富锌金属比例。本发明可以提高了薄膜的结晶度,有利于铜锌锡硫太阳电池效率的提升;本发明可有效避免污染问题,并节约生产成本,具有实用价值,因充入氮气的初始压强可控,可实现不同压强对成膜影响的研究,具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:步骤1),以铜盐、锌盐、锡盐、硫脲四种化合物为原料,按原子比Cu/(Zn+Sn)=0.7~1,Zn/Sn=1~1.2的比例溶解于有机溶剂中形成铜锌锡硫溶液;步骤2),将所述铜锌锡硫溶液旋涂于基底;步骤3),于200℃~300℃下进行预退火制成铜锌锡硫薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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