[发明专利]微纳米绒面太阳能电池的发射极、及其制备方法和用途有效
申请号: | 201610571334.3 | 申请日: | 2016-07-20 |
公开(公告)号: | CN106057921B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 王俊;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 224000 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种微纳米绒面太阳能电池发射极的制备方法,其特征在于,所述方法为:(1)对于去除损伤层后的硅片,在重掺杂扩散的同时,通入氧气形成磷硅玻璃层;(2)对步骤(1)得到的硅片,部分去除磷硅玻璃层;(3)对步骤(2)得到的硅片,进行反应离子刻蚀;(4)去除非电极区剩余的磷硅玻璃层,或去除全部剩余的磷硅玻璃层。本发明利用一次重掺杂扩散加氧化形成较厚的PSG层作为掩膜层,不需要额外再生长掩膜层;同时,利用剩余的部分PSG层作为保护层,防止RIE直接轰击硅片表面形成损伤层,不需要额外再去损伤层;步骤简单。 | ||
搜索关键词: | 纳米 太阳能电池 发射极 含有 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微纳米绒面太阳能电池发射极的制备方法,其特征在于,当所述微纳米绒面太阳能电池发射极为微纳米绒面太阳能电池选择性发射极时,所述方法包括如下步骤:(1)对于去除损伤层后的硅片,在重掺杂扩散的同时,通入氧气形成磷硅玻璃层;所述磷硅玻璃层厚度在反应离子刻蚀的刻蚀厚度以外;(2)对步骤(1)得到的硅片,在厚度上部分去除浅掺区的磷硅玻璃层至反应离子刻蚀的刻蚀厚度以内;(3)对步骤(2)得到的硅片,对浅掺区进行反应离子刻蚀;(4)对步骤(3)得到的硅片,仅保留电极区剩余的磷硅玻璃层,或去除全部剩余的磷硅玻璃层。
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