[发明专利]一种功率器件的整体封装方法

摘要

本发明涉及一种功率器件的整体封装方法，属于功率器件处理技术领域。为了解决现有的稳定性和散热性差的问题，提供一种功率器件的整体封装方法，包括将芯片焊接在铜框架的焊盘上进行上芯；再经过压焊、塑封固化、电镀和切筋成型，得到功率器件，上芯具体在氢氮混合气体的保护下，使铜框架进行预加热处理；再进行点焊处理，在焊盘上形成锡球；再对锡球进行整形，使锡球铺开在焊盘上；然后进入焊接区将芯片放置在相应的焊盘锡球上进行焊接，使芯片的背面焊接在焊盘上；再进入后加热区进行加热处理后，冷却后，完成功率器件芯片的上芯。本发明能够提高操作的稳定性，且能够有效防止焊锡出现体积收缩现象，实现保证低空洞率和倾斜度低的效果。

主权项

1.一种功率器件的整体封装方法，该方法包括将芯片(21)焊接在铜框架(1)的焊盘(12)上进行上芯工序处理；然后，再经过压焊工序、塑封固化工序、电镀工序和切筋成型，得到相应的功率器件，其特征在于，所述上芯工序处理具体包括以下步骤：A、在氢氮混合气体的保护下，使需要上芯的铜框架(1)先经过上芯工序加热轨道中的预热区进行预加热处理，使铜框架(1)经过预热区后的温度升温控制在320℃～350℃；B、经过预热区后，再使铜框架(1)进入点焊区进行点焊处理，使在铜框架(1)的焊盘(12)上形成锡球；C、点焊完成后，再使铜框架(1)进入压模区对锡球进行整形，使锡球铺开在铜框架(1)的焊盘(12)上；D、然后进入焊接区将芯片(21)放置在相应的锡球上进行焊接，使芯片(21)的背面焊接在焊盘(12)上；E、焊接完成后进入后加热区进行加热处理后，且使后加热区的温度设定在180℃～200℃，然后再进入冷却区进行冷却处理后，完成芯片(21)的上芯。