[发明专利]热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法在审

专利信息
申请号: 201610570420.2 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN106066319A 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 陶顺衍;杨加胜;赵华玉;邵芳;钟兴华;王亮 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;G01L5/00
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;姚佳雯
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法,包括如下步骤:通过特定波长的激光束,入射到被测的所述热障涂层的表面,激发出所述热障涂层中热生长氧化物层内微量元素Cr3+的荧光光谱;将所激发出的Cr3+的荧光光谱特征峰与无应力状态下所激发出的Cr3+的荧光光谱特征峰相比较,根据特征峰的偏移量计算热生长氧化物层内应力的分布。本发明能解决传统应力检测方法难以实现TGO层应力测量的技术难题;无需破坏试样本身即可检测涂层试样经各种不同的工况(如热震、恒温氧化、热循环或高温焰流热冲击等)考核前后TGO层内应力的变化,为涂层的服役行为及失效机理研究提供实验基础;为实际工件服役前后涂层中TGO内应力的无损检测提供可行性。
搜索关键词: 热障 涂层 生长 氧化物 残余 应力 无损 检测 方法
【主权项】:
一种热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法,其特征在于,包括如下步骤:通过特定波长的激光束,入射到被测的所述热障涂层的表面,激发出所述热障涂层中热生长氧化物层内微量元素Cr3+的荧光光谱;将所激发出的Cr3+的荧光光谱特征峰与无应力状态下所激发出的Cr3+的荧光光谱特征峰相比较,根据特征峰的偏移量计算热生长氧化物层内应力的分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610570420.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top