[发明专利]用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法在审
| 申请号: | 201610569727.0 | 申请日: | 2016-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN106373872A | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
| 发明(设计)人: | R·巴蒂亚 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
| 主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/205 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法在此被公开,其中焊料被用为掩蔽材料。所述方法包含使具有有源器件区域以及阻挡层的电气器件的电气接触组件暴露,其中阻挡层由原子层沉积工艺所形成。本方法包含沉积焊料元件在电气接触组件上,然后以原子层沉积工艺形成阻挡层。阻挡层会覆盖有源器件区域并且还覆盖分别覆盖电气接触组件的焊料元件。之后焊料元件会被熔融,因而移除覆盖焊料元件的阻挡层的相应部分。类似的方法可用于在形成分层电容器时暴露接触件。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 基于 电极 器件 原子 沉积 工艺 掩蔽 方法 | ||
【主权项】:
一种暴露电气器件的电气接触组件的方法,所述电气器件具有有源器件区域以及通过原子层沉积所形成的阻挡层,所述方法包含:在所述电气接触组件上沉积焊料元件;使用原子层沉积形成所述阻挡层,其中所述阻挡层覆盖所述有源器件区域并且还覆盖分别地覆盖所述电气接触组件的所述焊料元件;以及熔融所述焊料元件,以移除覆盖所述焊料元件的所述阻挡层的相应部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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