[发明专利]用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法在审

专利信息
申请号: 201610569727.0 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN106373872A 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: R·巴蒂亚 申请(专利权)人: 超科技公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033;H01L21/205
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 申发振
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法在此被公开,其中焊料被用为掩蔽材料。所述方法包含使具有有源器件区域以及阻挡层的电气器件的电气接触组件暴露,其中阻挡层由原子层沉积工艺所形成。本方法包含沉积焊料元件在电气接触组件上,然后以原子层沉积工艺形成阻挡层。阻挡层会覆盖有源器件区域并且还覆盖分别覆盖电气接触组件的焊料元件。之后焊料元件会被熔融,因而移除覆盖焊料元件的阻挡层的相应部分。类似的方法可用于在形成分层电容器时暴露接触件。
搜索关键词: 用于 基于 电极 器件 原子 沉积 工艺 掩蔽 方法
【主权项】:
一种暴露电气器件的电气接触组件的方法,所述电气器件具有有源器件区域以及通过原子层沉积所形成的阻挡层,所述方法包含:在所述电气接触组件上沉积焊料元件;使用原子层沉积形成所述阻挡层,其中所述阻挡层覆盖所述有源器件区域并且还覆盖分别地覆盖所述电气接触组件的所述焊料元件;以及熔融所述焊料元件,以移除覆盖所述焊料元件的所述阻挡层的相应部分。
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