[发明专利]五氧化二钒光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610565864.7 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106129144A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 付文标;费广涛;张立德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/18 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任岗生 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种五氧化二钒光电探测器，由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其特征在于：所述五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；所述组成定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的五氧化二钒纳米线的线直径为200～600nm、线长为10～50μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
