[发明专利]环保封装焊接工艺有效
申请号: | 201610554531.4 | 申请日: | 2016-07-15 |
公开(公告)号: | CN106128966A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 郭玉兵;刘锋;李友 | 申请(专利权)人: | 常州银河世纪微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/373;B82Y30/00 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种环保封装焊接工艺,包括以下步骤:使用焊接胶将背面背银芯片与表面局部预镀银框架进行粘接,所述的焊接胶为胶状混合物,它包含有纳米银颗粒粉末、粘结剂和环氧树脂,所述纳米银颗粒粉末的纳米银颗粒的粒径范围为:200nm~3000nm;将上述粘接后的半成品放入无氧或充氮的烘箱中,进行高温烧结固化,从而使芯片的镀银层与框架的镀银层之间形成牢固的银结合层,所述高温烧结固化的温度范围为:200℃~240℃;将烧结固化后的产品进行清洗。本发明为全环保无铅焊接工艺,完全能够满足RoHS的指令的新要求,利用本发明制造的产品焊接层熔点高,可以满足终端客户的任何焊接工艺;利用本发明制造的产品的导电导热性好,提高产品的导电和散热能力。 | ||
搜索关键词: | 环保 封装 焊接 工艺 | ||
【主权项】:
一种环保封装焊接工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,使用焊接胶将背面背银芯片与表面局部预镀银框架进行粘接,所述的焊接胶为胶状混合物,它包含有纳米银颗粒粉末、粘结剂和环氧树脂,所述纳米银颗粒粉末的纳米银颗粒的粒径范围为:200nm~3000nm;步骤S2,将上述粘接后的半成品放入无氧或充氮的烘箱中,进行高温烧结固化,从而使芯片的镀银层与框架的镀银层之间形成牢固的银结合层,所述高温烧结固化的温度范围为:200℃~240℃;步骤S3,将烧结固化后的产品进行清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州银河世纪微电子有限公司,未经常州银河世纪微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610554531.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种出料均匀的锅巴成型机
- 下一篇:一种缩阴配方及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造