[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610545881.4 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106684147B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘庭均;金基一;朴起宽;成石铉;严命允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底，包括第一沟槽；第一鳍图案，位于基底上，第一鳍图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁，第一鳍图案由第一沟槽来限定，第一鳍图案包括在下部上的上部，第一分界线分开第一鳍图案的下部和上部，第一鳍中心线与第一分界线正交且与第一鳍图案的上部的最高部交会，在距离第一沟槽的下表面第一高度处测量第一侧壁和第一鳍中心线之间的第一距离，在比第一高度低的第二高度处测量第一侧壁和第一鳍中心线之间的第二距离，第一距离大于第二距离；栅电极，位于基底上，所述栅电极与第一鳍图案相交，第一鳍图案的上部被栅电极围绕；以及场绝缘层，位于基底上，围绕第一鳍图案的部分，第一鳍图案的下部被场绝缘层围绕。
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