[发明专利]具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片制备方法在审
| 申请号： | 201610544585.2 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106186073A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 高大强;刘培涛 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 一种具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片制备方法，在室温下将硫脲和氯化钨的混合物在酒精作用下制成胶体，胶体干燥后在氮气环境下烧结得到具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片。本发明采用一步烧结法制备具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片的方法，该方法制备工艺简单，成本廉价，而且可重复性高。制备的N掺杂WS2纳米片，不仅具有WS2的优异性能，而且具有较大的比表面积，使其的应用更加广泛，而且提供了一种简单的掺杂方法。本发明制备方法要求的设备简单，原料廉价，工艺简单易行，成本低，反应条件可控，可重复性强，产品产量大。它不仅具有WS2所具有的各种性能，而且具有较大的比表面积，使它的应用更加广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面积 掺杂 ws sub 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片制备方法，其特征在于：在室温下将硫脲和氯化钨的混合物在酒精作用下制成胶体，胶体干燥后在氮气环境下烧结得到具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片。
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