[发明专利]一种增强稀土Er离子光致发光的复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610543381.7 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106187167B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张善涛;耿晓玉;张骥;朱学艺;胡斌 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强稀土Er离子光致发光的复合材料及其制备方法。该复合材料包括Er掺杂的铁电材料以及ZnO，其中Er掺杂的铁电材料的化学式为xEr:0.94Bi0.5Na0.5TiO3‑0.06BaTiO3(简写为xEr:BNTBT)，其中x为Er与BNTBT的摩尔比，且x＝0.0050、0.0075或0.0100；ZnO与Er掺杂的铁电材料的摩尔比为0.1、0.2、0.3或0.4。通过把稀土Er离子掺杂到铁电材料中，并进一步与ZnO形成复合材料，在激光照射下，可观察Er离子的显著增强的光致发光。本方法与其他传统方法相比，具有能显著增强稀土Er离子光致发光等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 稀土 er 离子 光致发光 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强稀土Er离子光致发光的复合材料，包括Er掺杂的铁电材料以及ZnO，其特征在于，Er掺杂的铁电材料的化学式为xEr:0.94Bi0.5Na0.5TiO3‑0.06BaTiO3，简写为xEr:BNTBT，其中x为Er与BNTBT的摩尔比，且x＝0.0050、0.0075或0.0100；ZnO与所述Er掺杂的铁电材料的摩尔比为0.1、0.2、0.3或0.4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
