[发明专利]逆导绝缘栅双极型晶体管结构及其对应的制造方法

摘要

逆导绝缘栅双极型晶体管结构及其对应的制造方法，本发明涉及功率半导体器件的结构和制造过程，为提供一种能够在无薄晶圆工艺的情况下制造的高性能RC‑IGBT结构，本发明提供一种RC‑IGBT结构，其包括：在正面处的发射极；在发射极下的多个元胞；在元胞下的n‑漂移区；在背面处的集电极；在背面处并且被集电极充满的多个沟槽；沟槽之间的机械支撑半导体区；每个沟槽的顶部并且连接到集电极的p+集电区；每个p+集电区的顶部并且在n‑漂移区下方的n缓冲区；作为每个沟槽侧壁处的机械支撑半导体区的一部分并且连接到集电极的n+阴极区。有益效果在于，在不需要薄晶圆工艺的情况下，制造的高性能RC‑IGBT结构。

主权项

1.一种逆导绝缘栅双极型晶体管结构，其特征在于，其包括有：位于正面处顶部的发射极（220/320），在所述发射极（220/320）下的多个元胞结构，在所述元胞结构下的第一导电类型的漂移区（214/314），在背面处的集电极（222/322），一个以上的沟槽（240/340），所述的沟槽（240/340）在所述背面处并且被所述集电极（222/322）充满，在所述沟槽（240/340）之间的机械支撑半导体区（241/341），第二导电类型的集电区（216/316），所述第二导电类型的集电区（216/316）在每个沟槽（240/340）的顶部并且连接到所述集电极（222/322），第一导电类型的缓冲区（215/315），所述第一导电类型的缓冲区（215/315）在每个第二导电类型的集电区（216/316）的顶部并且在所述第一导电类型的漂移区（214/314）下方，所述的第一导电类型的缓冲区（215/315）将漂移区（214/314）和集电区（216/316）隔开；第一导电类型的阴极区（217/317），所述第一导电类型的阴极区（217/317）作为在每个沟槽（240/340）侧壁处的机械支撑半导体区（241/341）的一部分并且连接到所述集电极（222/322）。