[发明专利]用于对图像传感器进行时钟控制的方法在审
申请号: | 201610537170.2 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN106340526A | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | J·P·麦卡藤 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N1/195 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明描述了用于对图像传感器进行时钟控制的方法,该方法消除由大图像传感器中的全局电流流动引起的阱回弹效应。在对邻近光电二极管的垂直电荷耦合器件栅极触点施加电压的电荷转移操作期间,可以对与光电二极管相关联以及在光电二极管上至少部分地形成的光屏蔽件施加补偿电压。根据极性,补偿光屏蔽件脉冲允许空穴从垂直电荷耦合器件栅极下面局部地流到光电二极管P+钉扎区域或者反之亦然,以及用这种方式消除空穴电流的全局流动。还可以在电子快门操作期间使光屏蔽件偏置。 | ||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 进行 时钟 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种对图像传感器进行时钟控制的方法,所述图像传感器包括与垂直电荷耦合器件相邻的光电二极管,其中所述光电二极管具有在所述垂直电荷耦合器件和所述光电二极管的至少一部分上形成的相关联的光屏蔽结构,所述方法包括:将所述光电二极管中的电荷转移至所述垂直电荷耦合器件;以及在将所述电荷从所述光电二极管转移至所述垂直电荷耦合器件的同时,对所述光屏蔽结构施加补偿偏置电压以补偿由转移所述电荷引起的净电荷不平衡。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610537170.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的