[发明专利]基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法在审
申请号: | 201610536003.6 | 申请日: | 2016-07-10 |
公开(公告)号: | CN106449978A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 徐闰;蔡江;王文贞;徐海涛;吴杨琳;倪超伟;徐飞;王林军 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法。本发明涉及一种叉指型共平面金属‑半导体‑金属(MSM)结构的甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜可见光盲紫外探测器的制备。其中CH3NH3PbCl3薄膜是通过混合连续沉积过程形成的,首先氯化铅(PbCl2)通过热蒸发法先沉积在衬底上,然后旋涂上一层氯化甲胺(CH3NH3Cl),最后通过退火,使PbCl2和CH3NH3Cl反应生成致密的且结晶度良好的CH3NH3PbCl3薄膜。这种探测器在360nm的响应率高达15.6A/W,电流开关比接近两个数量级。这些结果表明CH3NH3PbCl3薄膜探测器在可见光盲紫外探测器的应用方面极具竞争力。 | ||
搜索关键词: | 基于 氨基 氯化 薄膜 可见光 紫外 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法,其特征在于,具有如下工艺过程和步骤:a. 将硅片衬底进行预处理:选择合适大小的硅片,用RCA标准清洗法清洗后,在约900℃下,通干氧氧化10分钟,在其表面氧化出一层厚度约83 nm的二氧化硅(SiO2)层;b. 在硅片上镀上金叉指电极,方法为光刻和热蒸发;叉指电极之间的电极间距与电极宽度都是5 µm,有效区域为3×105 µm2;c. 在叉指电极上将氯化铅(PbCl2)镀上去,形成薄膜,然后将镀好的薄膜转移到充满氮气的手套箱中;在叉指电极上镀上PbCl2的方法为热蒸发法;d. 将氯化甲胺(CH3NH3Cl)溶液均匀的涂覆在上述的PbCl2薄膜上;CH3NH3Cl前驱体溶液为0.15 mol/L;将CH3NH3Cl溶液均匀的涂覆在PbCl2薄膜上的方法为旋涂法,转速为3000 r/min;e. 将沉积的薄膜进行后期退火处理,获得共平面的金属‑半导体‑金属(MSM)结构的CH3NH3PbCl3薄膜可见光盲紫外探测器;后期退火处理是指将沉积的CH3NH3PbCl3薄膜在60℃条件下烘烤30分钟,形成致密、结晶良好的薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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