[发明专利]基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610536003.6 申请日: 2016-07-10
公开(公告)号: CN106449978A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 徐闰;蔡江;王文贞;徐海涛;吴杨琳;倪超伟;徐飞;王林军 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙)31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法。本发明涉及一种叉指型共平面金属‑半导体‑金属(MSM)结构的甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜可见光盲紫外探测器的制备。其中CH3NH3PbCl3薄膜是通过混合连续沉积过程形成的,首先氯化铅(PbCl2)通过热蒸发法先沉积在衬底上,然后旋涂上一层氯化甲胺(CH3NH3Cl),最后通过退火,使PbCl2和CH3NH3Cl反应生成致密的且结晶度良好的CH3NH3PbCl3薄膜。这种探测器在360nm的响应率高达15.6A/W,电流开关比接近两个数量级。这些结果表明CH3NH3PbCl3薄膜探测器在可见光盲紫外探测器的应用方面极具竞争力。
搜索关键词: 基于 氨基 氯化 薄膜 可见光 紫外 探测器 制备 方法
【主权项】:
一种基于甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法,其特征在于,具有如下工艺过程和步骤:a. 将硅片衬底进行预处理:选择合适大小的硅片,用RCA标准清洗法清洗后,在约900℃下,通干氧氧化10分钟,在其表面氧化出一层厚度约83 nm的二氧化硅(SiO2)层;b. 在硅片上镀上金叉指电极,方法为光刻和热蒸发;叉指电极之间的电极间距与电极宽度都是5 µm,有效区域为3×105 µm2;c. 在叉指电极上将氯化铅(PbCl2)镀上去,形成薄膜,然后将镀好的薄膜转移到充满氮气的手套箱中;在叉指电极上镀上PbCl2的方法为热蒸发法;d. 将氯化甲胺(CH3NH3Cl)溶液均匀的涂覆在上述的PbCl2薄膜上;CH3NH3Cl前驱体溶液为0.15 mol/L;将CH3NH3Cl溶液均匀的涂覆在PbCl2薄膜上的方法为旋涂法,转速为3000 r/min;e. 将沉积的薄膜进行后期退火处理,获得共平面的金属‑半导体‑金属(MSM)结构的CH3NH3PbCl3薄膜可见光盲紫外探测器;后期退火处理是指将沉积的CH3NH3PbCl3薄膜在60℃条件下烘烤30分钟,形成致密、结晶良好的薄膜。
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