[发明专利]一种拉曼增强衬底的制作方法有效
申请号: | 201610533715.2 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN106226283B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 魏大程;刘冬华;王振;李孟林 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明为一种拉曼增强衬底的制作方法。本发明将基底(无机衬底)放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域,通入含有碳元素的反应源气体,控制反应源气体的气压值为0.01Torr‑760Torr;控制基底温度在300‑1200℃,开等离子体电源,设定等离子体功率为1‑1000W,使反应源气体分子裂解,活性基团在等离子体的作用下发生反应,在基底表面,生成石墨烯量子点,通过调控生长温度和生长时间,制备不同尺寸的石墨烯量子点拉曼增强衬底。在所制备的拉曼增强衬底表面滴需要检测分子的溶液,通过激光拉曼仪器,测得高灵敏的拉曼增强信号。本发明制备的拉曼增强衬底,无污染,灵敏度高,可大面积制备,制备步骤简单容易实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 衬底 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种拉曼增强探测衬底的的制作方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)清洗基底,去除基底表面的杂质和有机物;(2)在步骤(1)所得基底表面生长石墨烯量子点:将步骤(1)得到的中清洗过的基底放入等离子体化学气相沉积设备腔体中的生长区域中,采用等离子体化学气相沉积方法,通入含有碳元素的反应源气体,基底升温控制在300‑1200℃,控制反应源气体的气压值为0.01Torr‑760 Torr;同时使基底升温至生长温度300‑1200℃,当基底温度升高到生长温度时,开启等离子体电源,控制等离子体功率范围在为1‑1000W之间,使反应源气体裂解,含有碳元素的活性基团在等离子体的作用下发生反应,在基底表面生成石墨烯量子点;(3)取需要探测分子的溶液,滴在步骤(2)所得长有石墨烯量子点的基底上;需要探测分子的溶液的加入量为10μL,浓度介于10‑3‑10‑11 Mol/L 之间;(4)对步骤(3)中的样品做拉曼表征。
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